Compania coreeana a demarat producția în masă a ceea ce ei numesc prima clasă de cipuri de 10 nanometri, 8 GB DDR4. În manufacturarea lor au utilizat litografie de imersie cu florid de argon, inovații designul tehnologiei celulelor proprietare, litografie QPT (quadruple patterning technology) și depoziție a stratelor dielectrice ultra-subțiri.
Toate aceste îmbunatățiri se reflectă într-o mai mare viteză de funcționare a acestor module, Samsung afirmând că ele suportă o rată de transfer a datelor de 3200 MB/secundă, adică cu peste 30% mai rapid decât ceea ce sunt în stare variantele de 20 de nanometri. Young-Hyun Jun a declarat ca și smartphone-urile și tabletele vor beneficia în viitor de aceste noi tehnologii.
Sursa: techspot.com
Lasă un răspuns